Enhancement-mode buried-channel In0.7Ga0.3As/ In0.52Al0.48 MOSFETs with high-κ gate dielectrics
- Yanning Sun
- , E. W. Kiewra
- , S. J. Koester
- , N. Ruiz
- , A. Callegari
- , K. E. Fogel
- , D. K. Sadana
- , J. Fompeyrine
- , D. J. Webb
- , J. P. Locquet
- , M. Sousa
- , R. Germann
- , K. T. Shiu
- , S. R. Forrest
Research output: Contribution to journal › Article › peer-review
64
Link opens in a new tab
Scopus
citations