50 nm vertical replacement-gate (VRG) nMOSFETs with ALD HfO₂ and Al₂O₃ gate dielectrics

J. M. Hergenrother, G. D. Wilk, T. Nigam, F. P. Klemens, D. Monroe, P. J. Silverman, T. W. Sorsch, B. Busch, M. L. Green, M. R. Baker, T. Boone, M. K. Bude, N. A. Ciampa, E. J. Ferry, A. T. Fiory, S. J. Hillenius, D. C. Jacobson, R. W. Johnson, P. Kalavade, R. C. KellerC. A. King, A. Kornblit, H. W. Krautter, J. T.C. Lee, W. M. Mansfield, J. F. Miner, M. D. Morris, S. H. Oh, J. M. Rosamilia, B. J. Sapjeta, K. Short, K. Steiner, D. A. Muller, P. M. Voyles, J. L. Grazul, E. J. Shero, M. E. Givens, C. Pomarede, M. Mazanec, C. WerkhovenShow 20 othersShow less